按電力電子開關(guān)器件可控性分類：不可控件、半可控件、全控性器件。電力電子控件很多，所謂半控件指只能控制開啟，不能控制關(guān)斷；全可控件即可以控制開啟，也可控制關(guān)斷。搞懂這些器件的特性和用途，對電子設(shè)備及產(chǎn)品的維修極為重要，小編總結(jié)了一下，希望能給大家一些幫助。
特性對比表
一、晶閘管
1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安
2、特點：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率
3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-直流）
單向可控硅
雙向可控硅BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA
二、MOS(MOSFET)管
1、作用：
MOS管多被用作電子開關(guān)，用在控制回路中控制負(fù)載的通斷。柵極有電容效應(yīng)，即使斷開了電源，柵極上可能仍保持著電壓。
2、特性：
MOSFET高輸入阻抗、驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。N溝道開啟電壓一般在2~4V；P溝道開啟電壓一般在-2~-4V。
3、辨別NNOS、PMOS方法：
借助寄生二極管來辨別。將萬用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S，黑表筆接D，有數(shù)值顯示，反過來接無數(shù)值，說明是N溝道；若情況相反是P溝道。
4、應(yīng)用領(lǐng)域：
步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動、電鉆工具、工業(yè)開關(guān)電源、新能源領(lǐng)域、光伏逆變、充電樁、無人機、交通運輸領(lǐng)域、車載逆變器、汽車HID安定器、電動自行車、綠色照明領(lǐng)域、CCFL節(jié)能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮(zhèn)流器。
Trench /SGT /Super Junction MOSFET
MOS管工作原理
三、IGBT
1、名稱：絕緣柵雙極型晶體管，是MOS管和三極管的結(jié)合體，主要作用是逆變和變頻，俗稱電力電子裝置的“CPU”。
2、特點：兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。呈7大特性：1、80%IGBT帶阻尼二極管，且可以替代不帶阻尼管使用；2、可以理解為大功率三極管和場效應(yīng)管組成，但不能簡單代替使用；3、檢測方式可以是蜂鳴檔，也可以是二極管檔位；4、繼承了場效應(yīng)管的高阻抗和三極管的高反壓的優(yōu)點，耐電壓、耐電流，低功耗；5、應(yīng)用范圍管：電流10-3300A、電壓600-6500V、工作頻率10-30Kh；6、可做高速開關(guān)使用；7、啟動電壓低3V左右，飽和導(dǎo)通電壓較高為5-15V。
3、應(yīng)用領(lǐng)域：非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
TO247-A結(jié)構(gòu)
IGBT工作原理
四、晶閘管、MOS管、IGBT區(qū)分和測量
線腳對比
由于硬件條件不足、自身知識水平有限，可能有講的不恰當(dāng)之處，敬請各位多多指正！本人本著相互學(xué)習(xí)，共同進(jìn)步的誠心，歡迎各位來電交流。
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